2025年10月16日至19日，我院电力电子器件研究团队曹荣幸副教授与研究生刘涵勋前往长沙参加了第二十五届全国半导体物理学术会议。本次会议由中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所主办，湖南师范大学、湖南大学承办，中国电子学会半导体与集成技术专业委员会、中南大学协办。大会主席由李树深院士和黎湘院士共同担任。

作为国内半导体物理领域最高水平的学术会议之一，本届大会共设有14个专题分会场，涵盖主旨、特邀等各类报告639场，吸引了包括多位院士在内的全国2000余名专家学者齐聚长沙，共同探讨半导体物理前沿进展。

会议期间，曹荣幸老师作了题为“星用功率器件在轨单粒子风险预估方法”的特邀报告；研究生刘涵勋作了题为“高温栅偏对p-GaN HEMT器件总剂量效应敏感性的影响研究”的口头报告，展示了我院在半导体器件辐射效应领域的最新研究进展。

本次会议汇聚了众多半导体物理领域的专家学者，报告内容丰富、前沿，现场交流活跃，学术氛围浓厚。与会人员在思维碰撞中拓宽视野、激发创新灵感，不仅为学界提供了高质量的交流平台，也为学科未来发展指明了方向。

通过参加此次会议，电力电子器件研究团队师生深入了解国内半导体物理研究的最新动态与成果，展示了团队的研究实力，并与国内同行展开深入交流，进一步推动了我院在半导体器件辐射效应研究领域的发展。