10月20日上午，应我院薛玉雄教授邀请，加拿大萨斯喀彻温大学陈力教授来访我院进行学术交流，并于知行楼S533教室作了题为“Radiation Effects and Mitigation Techniques in Advanced CMOS Technologies”的专题学术报告。我院师生共60余人参加了本次交流活动。

报告中，陈力教授系统阐述了空间辐射环境对先进CMOS器件的影响机理，对比分析了体硅器件与FINFET器件在辐射效应方面的异同，并介绍了相应的抗辐射加固设计方法。此外，他还就萨斯喀彻温大学的基本概况、其研究团队构成以及在该领域的最新研究进展向与会师生作了详细介绍。在互动环节，陈教授与现场师生围绕相关技术问题展开了深入讨论。

薛玉雄教授向陈力教授介绍了我院电力电子器件研究团队的科研方向与最新进展。双方围绕当前电子器件前沿技术的应用需求进行了广泛探讨，并就未来开展国际项目合作达成共识。在人才培养方面，双方也进行了深入交流，一致同意推荐我院电力电子器件研究团队的两名优秀学生赴加拿大萨斯喀彻温大学攻读博士学位及进行访学交流。

本次交流活动促进了我院师生对国际电子器件领域前沿动态的了解，有效拓宽了师生的国际学术视野。同时，双方在国际科研合作与人才联合培养等方面取得了积极成果，对我院科研水平提升、高质量人才培养以及国际化发展具有重要推动作用。