报告题目：Radiation Effects and Mitigation Techniques in Advanced CMOS Technologies

报 告 人：陈力 教授  加拿大萨斯喀彻温大学电气与计算机工程系

报告时间：2025年10月20日（星期一）上午9:00

报告地点：扬州大学扬子津东校区电气与能源动力工程学院知行楼S533会议室

报告人简介：

陈力，博士，加拿大萨斯喀彻温大学电气与计算机工程系Barbhold教席教授，1991年毕业于天津大学，获得学士学位；2000年和2004年毕业于加拿大阿尔伯塔大学，先后获得硕士和博士学位；2006年7月至今就职于加拿大萨斯喀彻温大学电气与计算机工程系，2011年晋升为副教授，2016年晋升为正教授。主要从事辐射效应与抗辐射微电子技术研究工作。曾担任《Microelectronics Reliability》期刊副主编、IEEE ICREED会议副主席，并曾于2021年及2024年两度担任IEEE NSREC会议的分会场主席。在相关领域权威期刊及国际会议上已发表论文百余篇。

报告摘要：

The talk will present radiation effects and mitigation techniques in advanced CMOS technologies. Radiation environments will be briefly introduced and followed by a review on the structure of CMOS technologies including 2D planar, FDSOI, and FinFET processes. Single event effects in CMOS technologies will be introduced, and focused on the FinFET technologies, such as trend of error rates in terms of feature size, ion striking angular effects, impact of threshold voltage and input data, etc. After that some general radiation-hardening-by-design techniques in storage cells will be introduced for traditional 2D planar, SOI and FinFET technologies. A recent project, a radiation-hardened 32-bit RISC-V microcontroller with 22nm FDSOI node will be briefly introduced, which showed extreme tolerance to SEEs. Total dose effects in bulk, SOI and FinFET technologies will also be briefly reviewed. The talk will be concluded with a comparison of radiation tolerance among various advanced CMOS technology nodes.

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